Naukowcy uzyskali elastyczną warstwę krzemu
2 sierpnia 2006, 15:31Dzięki opracowanej właśnie metodzie uzyskiwania cienkiej warstwy krzemu możliwe będzie tworzenie zaawansowanych układów scalonych niemal na każdej powierzchni. Uczeni z University of Wisconsin udowodnili, że rozciągnięty krzem, stosowany od kilku lat przez Intela, może zostać wyprodukowany w tak cienkiej warstwie, iż staje się elastyczny.
Płód w płodzie
25 listopada 2006, 14:51W połowie listopada w Chile przyszedł na świat chłopiec, w którego żołądku odkryto płód. Jest to przykład niezwykle rzadkiego zjawiska foetus in foetu, czyli płodu rozwijającego się wewnątrz innego płodu. Stworzenie z żołądka chłopca jest jego bliźnięciem, które na wczesnym etapie ciąży zaczęło się rozwijać nie obok, ale wewnątrz swojego sąsiada.
AMD pokazało 45-nanometrowe układy
11 maja 2007, 09:25AMD pokazało swój pierwszy plaster krzemowy z układami wykonanymi w technologii 45 nanometrów. Phil Hester, główny technolog firmy, zapewnia, że 300-milimetrowy plaster zawiera w pełni funkcjonujące układy.
2,5-gigahercowa Barcelona jeszcze w tym roku
13 września 2007, 11:02Randy Allen, wiceprezes ds. serwerów i stacji roboczych w AMD powiedział, że jeszcze w grudniu jego firma zaoferuje czterordzeniowego Opterona (Barcelonę), taktowanego zegarem o częstotliwości 2,5 GHz. AMD spełni więc obietnicę szybkiego debiutu CPU taktowanych wyższym zegarem.
Samoorganizujący się tranzystor organiczny
5 marca 2008, 17:54Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Graficzna rewolucja w urządzeniach przenośnych?
18 marca 2009, 16:41Intel poinformował właśnie o stworzeniu nowego akceleratora SIMD, przeznaczonego dla urządzeń przenośnych. Najważniejszą cechą urządzenia jest jego niezwykle małe zapotrzebowanie na energię.
Intel rezygnuje z Larrabee
7 grudnia 2009, 11:30Jak donosi serwis Daily Tech, Intel zrezygnował z układu Larrabee, o którego prezentacji niedawno informowaliśmy. Powodem podjęcia takiej decyzji była zbyt mała wydajność układu.
Wysoko wydajne 4 gigabajty
13 lipca 2010, 12:23W ofercie OCZ Technology znalazł się 4-gigabajtowe kości DDR3 taktowane zegarem o częstotliwości 2133 MHz. Układy pracują przy napięciu 1,65 wolta. Są sprzedawane w dwu- i trzykanałowych zestawach o łącznej pojemności, odpowiednio, 8 i 12 gigabajtów.
Tegra 3 - mocna odpowiedź na przyszłe Snapdragony
16 lutego 2011, 12:38Ledwie Qulacomm zapowiedział czterordzeniowe układy Snapdragon, a już doczekał się konkretnej odpowiedzi ze strony konkurencji. Nvidia pokazała układ Tegra 3, czyli czterordzeniowy system-on-chip, który wkrótce ma trafić do urządzeń mobilnych. Kość o nazwie kodowej Kal-El trafi na rynek szybciej niż zapowiadany Snapdragon.
